03.07.2022 | Navitas Halbleiter | Leistung
Navitas Semiconductor sagte, dass seine GaNFast-Technologie ausgewählt wurde, um eine branchenführende Schnellladelösung für die Realme GT Neo 3-Smartphoneserie bereitzustellen, die leistungsstärkste neue Klasse von ultraschnellen Smartphone-Ladegeräten, die durch GaNFast-Leistungs-ICs ermöglicht werden.
Angetrieben vom Dimensity 8100-Chip bietet realme GT Neo 3 bis zu 150 W UDCA und behauptet, die schnellste und leistungsstärkste kommerzielle Ladelösung der Branche zu sein. Fortschrittliches Wärmemanagement und Batterieschutz sorgen für einen kühlen, langlebigen Betrieb.
Die Verfügbarkeit eines 150-W-Ladegeräts, das auf GaNFast-Leistungs-ICs basiert, ermöglicht es Benutzern, diese Technologie zu nutzen, indem sie den 4.500-mAh-Akku des Telefons in nur fünf Minuten von 0 auf 50 % aufladen. Mit nur 58 mm x 58 mm x 30 mm (101 cc) erreicht das Ladegerät eine außergewöhnliche Leistungsdichte von 1,5 W/cc.
Madhav Sheth, Präsident der realme International Business Group und Vizepräsident von realme, sagte: „Unsere Super-Flash-Ladetechnologie bietet die weltweit schnellste Smartphone-Ladelösung und bietet Benutzern des neuen realme GT Neo 3 die Flexibilität und den Komfort, ihre Telefone vollständig aufzuladen die kürzestmögliche Zeit. Galliumnitrid-ICs waren von grundlegender Bedeutung, um diesen Leistungssprung zu ermöglichen und gleichzeitig das Gewicht und den Formfaktor des Ladegeräts so gering wie möglich zu halten.
https://www.youtube.com/watch?v=gGITZ0pQa-I „Wir möchten Realme zur weltweiten Einführung seiner GT Neo 3-Serie und zur Bereitstellung der weltweit ersten kommerziellen Lösung für das Laden von Smartphones mit 150 W gratulieren“, sagte Gene Sheridan, CEO und Mitbegründer von Navitas. „Dieser Meilenstein in der Branche der ultraschnellen Ladegeräte wird von der Navitas GaNFast-Technologie angetrieben, die es realme ermöglicht hat, einen neuen 150-W-Lademaßstab für Effizienz, Geschwindigkeit und Formfaktor zu schaffen.“